propiedades del producto
ESCRIBE
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categoría
Productos semiconductores discretos
Transistor - FET, MOSFET - Matriz
fabricante
Tecnologías de Infineon
serie
HEXFET®
Paquete
Cinta y carrete (TR)
Banda de corte (CT)
Carrete personalizado Digi-Reel®
Estado del producto
en stock
Tipo FET
2 canales N (doble)
Función FET
puerta de nivel lógico
Tensión drenaje-fuente (Vdss)
60V
Corriente a 25°C – Drenaje Continuo (Id)
8A
Resistencia (máx.) a diferentes Id, Vgs
17,8 miliohmios @ 8A, 10V
Vgs(th) (máximo) en diferentes Id.
4V @ 50µA
Carga de puerta (Qg) a diferentes Vgs (máx.)
36nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) a diferentes Vds (máx.)
1330pF @ 30V
Potencia máxima
2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de instalación
Tipo de montaje en superficie
Paquete/Recinto
8-SOIC (0,154″, 3,90 mm de ancho)
Embalaje del dispositivo del proveedor
8-SO
Número de producto básico
IRF7351
Medios y descargas
TIPO DE RECURSO
ENLACE
Especificaciones
IRF7351PBF
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Modelo de simulación
Modelo de especias IRF7351
Medio Ambiente y Clasificación de Exportaciones
ATRIBUTOS
DESCRIBIR
Estado RoHS
Cumple con la especificación ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
REACH estado
Productos fuera de REACH
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
