propiedades del producto
ESCRIBE
DESCRIBIR
categoría
Productos semiconductores discretos
Transistor - FET, MOSFET - Único
fabricante
Tecnologías de Infineon
serie
CoolGaN™
Paquete
Cinta y carrete (TR)
Banda de corte (CT)
Carrete personalizado Digi-Reel®
Estado del producto
interrumpido
Tipo FET
canal n
tecnología
GaNFET (nitruro de galio)
Tensión drenaje-fuente (Vdss)
600V
Corriente a 25°C – Drenaje Continuo (Id)
31A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
-
Resistencia (máx.) a diferentes Id, Vgs
-
Vgs(th) (máximo) en diferentes Id.
1,6V @ 2,6mA
Vgs (máx.)
-10V
Capacitancia de entrada (Ciss) a diferentes Vds (máx.)
380pF @ 400V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de instalación
Tipo de montaje en superficie
Embalaje del dispositivo del proveedor
PG-DSO-20-87
Paquete/Recinto
20-PowerSOIC (0,433″, 11,00 mm de ancho)
Número de producto básico
IGOT60
Medios y descargas
TIPO DE RECURSO
ENLACE
Especificaciones
IGOT60R070D1
Guía de selección de GaN
Resumen de los HEMT GaN e-mode CoolGaN™ de 600 V
Otros documentos relacionados
GaN en adaptadores/cargadores
GaN en servidores y telecomunicaciones
Fiabilidad y Cualificación de CoolGaN
¿Por qué CoolGaN?
GaN en carga inalámbrica
archivo de vídeo
CoolGaN™ 600V e-mode HEMT plataforma de evaluación de medio puente con GaN EiceDRIVER™
CoolGaN™: el nuevo paradigma energético
Placa de evaluación PFC de tótem de puente completo de 2500 W con CoolGaN™ 600 V
Especificaciones HTML
Resumen de los HEMT GaN e-mode CoolGaN™ de 600 V
IGOT60R070D1
Medio Ambiente y Clasificación de Exportaciones
ATRIBUTOS
DESCRIBIR
Estado RoHS
Cumple con la especificación ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 horas)
REACH estado
Productos fuera de REACH
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
